據麥姆斯咨詢報道，人們對平板電腦、手機、手表和其他可穿戴設備的需求趨向功能復雜但結構緊湊，因此半導體芯片和封裝后器件的尺寸不斷縮小對微電子技術發展的重要性不亞于摩爾定律的重要意義。先進封裝技術趨勢為激光器發展創造了大量機會，因為他們能力非凡，能夠在最小熱影響區（HAZ）執行各種材料的高精度加工任務。因此，激光器在晶圓切割、封裝切割（singulation）、光學剝離，μ－via鉆孔、重分布層（RDL）結構化、切割帶切割（EMI屏蔽）、焊接、退火和鍵合等方面使用越來越廣泛，在此僅舉幾例。本文詳細闡述了三種截然不同的基于激光的工藝，用于各種充滿活力的應用領域。
納秒和皮秒激光器用于系統級封裝（SiP）切割
SiP技術可幫助高端可穿戴設備或便攜式設備實現體積微型化、功能高度集中。SiP器件由各種電路組件組成，例如處理器、存儲器、通信芯片和傳感器等，組裝在嵌入式銅線的PCB基板上。所有器件的組裝通常被封裝在模塑復合材料里，并添加具有電磁屏蔽功能的外部導電涂層。SiP器件厚度約1mm，其中模塑復合材料厚度約占一半。
在制造過程中，一開始多個SiP器件制作在一塊大面板上，最后再被分割成單個器件。此外，某些情況下，在器件中，溝槽會直接深入到模塑復合材料，直到連接到銅接地層。該工藝在導電屏蔽層覆蓋器件之前完成，導電屏蔽層主要用于完全覆蓋SiP區域，使得與其他高頻元器件隔離。
對于切割和開槽，切口位置和深度都必須精確，不能有炭化，更不能有碎屑。此外，諸如熱損傷、分層或微裂紋等切割過程中產生的問題，都會對電路造成不可挽回的后果。
目前，具有納秒脈沖寬度的20－40W紫外固態激光器（例如Coherent AVIA）是SiP切割的主要工具。然而，對于納秒源，需要平衡輸出功率和切割質量（特別是邊緣質量和碎片形成）。因此，僅通過施加更多激光功率是不能輕易提高處理速度的。

因此，如果對切割質量要求極高，可以選擇532 nm（綠色）超短脈沖（ultra－short pulse，簡稱USP）激光器替代，例如Coherent HyperRapid NX皮秒激光器或Monaco飛秒激光器。與納秒激光器相比，它們的切口更小，可以減少HAZ和碎片量，在某些情況下甚至可以提高產量。但是，USP源唯一的缺點就是它們的投入成本較高。